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晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

1引言

随着特大规模集成电路（ULSI）的研发与生产，硅片（或称晶圆、圆片、晶片）的线宽不

断减小，而晶圆直径却在不断增大。现阶段国内外ULSI制备中仍以200mm晶圆为主，预

计到2007年后，300mm晶圆将占主导地位。原因是300mm晶圆的有效利用率较高，单位

圆片的生产成本较低。

在线宽不断减小的同时，对晶圆质量的要求也越来越高，特别是对硅抛光片表面质量要求越

来越严格。这主要是由于抛光片表面的颗粒、金属污染、有机物污染、自然氧化膜和微粗糙

度等严重地影响着ULSI的性能和成品率。因此，晶圆表面清洗就成为ULSI制备中至关重

要的一项工艺[1-3]。

目前半导体厂家广泛使用的仍是RCA（美国无线电公司）清洗法。RCA清洗法是经过多年

的发展才形成的，它对于线宽为0.25和0.3μm工艺尚能满足要求，但对线宽为0.09～0.13μm

工艺就需要改进。另外，由于RCA清洗法大量使用化学试剂（如NH4OH，HCl，H2O2，

H2O等），而大量使用高纯度化学试剂将增加工艺成本，同时会带来环境污染，所以研发

新颖的、合适的300mm晶圆清洗技术势在必行。

2传统的湿法清洗和干法清洗技术

2.1湿法清洗技术

改进的RCA清洗法

RCA清洗法已成为多种前后道清洗的基础工艺，目前大多数厂家使用了改进的RCA法。最

初的RCA法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏圆片表面特征的情况下喷射、净化、

氧化、蚀刻和溶解圆片表面的污染物、有机物和金属离子污染。而改进的RCA法通过添加

表面活性剂和HF，并采用稀释RCA工艺来改善清洗效果。

稀释化学法

在改进RCA清洗法的基础上，对于1号标准清洗液SC-1和2号标准清洗液SC-2的混合溶

剂采用稀释化学法，不但可以大量节省化学试剂和去离子水，而且SC-2混合溶剂中的H2O2

可以完全被清除掉。稀释APMSC-2混合溶剂（1:1:50）能够有效地从晶片表面去除颗粒和

碳氢化合物，强烈稀释HPM混合溶液（1:1:60）和稀释氯化氢（1:100）在清除金属时能像

SC-2溶剂一样有效。采用稀释氯化氢（HCl）溶液的另一优点是，在低HCl浓度下颗粒不

会沉淀，因为pH值在2～2.5范围内硅与硅氧化物是等电位的，pH值高于该点，圆片表面

带有网状负电荷；低于该点，圆片表面带有网状正电荷。这样当pH值＞2～2.5时，溶液中

的颗粒与硅表面均带有相同的电荷，颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽，硅片在溶液中浸泡期

间受到屏蔽并阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面。但当pH值＜2时，硅片表面带正电荷，而

颗粒带有负电荷，这样就不致产生屏蔽效果。因此有效地控制HCl浓度，可以阻止溶液中

颗粒沉积到圆片表面[4-5]。

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单晶片清洗法

因大直径圆片清洗采用上述方法不易完成其清洗过程，故通常采用单晶片清洗法。清洗过程

是在室温下重复利用DI-O3与稀释的氢氟酸（DHF）清洗液，臭氧化的DI水（DIH2O-O3）

产生氧化硅，稀释DHF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化要求，