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【摘要】
氧化锌(ZnO)材料的能带隙和激子束缚能都比较大,常温发光性能优异,是具有良好的光催化、机械和电子性能的半导体氧化物之一。为了实现光催化的高性能降解活性,催化剂应具有半导体性能的最佳带隙、大的比表面积等。此外,还应与其他半导体结合产生界面效应,来提高光催化剂的光催化效率。在氧化物半导体中,氧化铈(CeO2)是有较高的介电常数,介电常数ε=26且禁带为3.2eV的稀土氧化物,化学性质稳定,可以用做抛光材料、紫外线吸收剂、电子陶瓷等。将ZnO与CeO2复合,可以使二者的优势结合。复合纳米ZnO/CeO2既具有ZnO的光催化活性又有
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