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西安电子科技大学微电子学院

实验22MOSFET的低频CV特性测量

MOSFET的低频CV特性测量就是通过对MOSFET的电容-电压(C-V)特性测试，

进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电

压等参数。CV测试被广泛地应用在半导体参数的测量中，是一种能够得到许多工艺

参数的重要测试手段，能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过在栅

极直流偏置条件下叠加小幅交流低频信号后，MOSFET栅电容随栅电压变化而发生变

化，由此得出电容电压关系曲线，进而计算出各种工艺参数。具有原理简单、操作方

便和测量精度高等优点。

本实验目的是熟悉电容-电压法测量MOSFET工艺和衬底参数的基本原理；学会

精密LCR表、直流稳压电源的使用方法；完善所学半导体物理、半导体工艺等理论知

识体系。

一、实验原理

1.MOSFET电容模型

MOSFET中的电容与施加电压有关。栅极与衬底之间的电容取决于栅极上所施加的

直流电压，可以通过在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行测量。图22.1给出了

栅电压从负值变到正值时，NMOS晶体管的能带结构、电荷分布和等效电容模型。

图22.1栅电压变化时NMOS结构的能带图、电荷分布和等效电容

当衬底保持接地并在栅极施加负电压时，NMOSFET结构的电容效应将使衬底靠近

氧化层一侧的表面开始存储正电荷。该表面将有比受主浓度N更高的空穴积累，这种

A

情形称为表面积累。在此条件下氧化层两面的可动电荷能迅速响应施加电压的变化，

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实验22MOSFET的低频CV特性测量分析--第2页

第三篇半导体工艺检测实验

NMOS器件就如同是一个厚度为t的平板电容器，采用C表示其值。

OXOX

当衬底保持接地并在栅极施加正电压时，随着栅极与衬底之间正电压的增加，更多

受主暴露于衬底靠近氧化层一侧的表面，该表面附近的载流子被逐步耗尽，形成了电离

受主离子在表面的积累，这就是所谓的表面耗尽。静电分析表明NMOS器件的总电容

是C和衬底中耗尽区电容C的串联。

OXd

随着栅电压的进一步增加，NMOS结构中能带将在氧化层与衬底界面处发生显著弯

曲。当耗尽区达到最大宽度x时，耗尽区中只剩下电离受主杂质离子。耗尽区远离