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德州科技职业学院机电系14级机电专业5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是()
期末考试试题
《电力电子技术》试卷
6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()
题号一二三四合计
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
分数
7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()
阅卷人得分
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是()
一、选择(每题1.5分,共60分)
A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO
1、晶闸管内部有()个PN结。
10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()
A、1B、2C、3D、4
A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO
2、晶闸管在电路中的门极正向偏压()越好。
11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()
A、越大B、越小C、不变D、越稳定
A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体
3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。
管
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值
12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作
4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()个电极。
A、直流B、低频C、中频D、高频
A、一个B、两个C、三个D、四个
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