2第二章-存储器.ppt

第二章存储器概述存储器是计算机的重要部件，有记忆功能，用来存放指令代码和操作数。§2.1半导体存储器的分类1.随机存储器(RAM)数据存储器，不能长期保存数据，掉电后数据丢失，一般可对部分RAM配置掉电保护电路，在掉电过程中实现电源切换。2只读存储器（ROM)只读存储器具有掉电后信息不丢失特点（非易失性），又称为固定存储器和永久性存储器。用来存储程序。SchoolofEngineeringAutomation·TianjinPolytechnicUniversity微机原理及应用内存（主存）主机内部由半导体器件构成辅助存储器位于主机外部用接口与主机连接高速缓冲存储器主存和微处理器之间双极型MOS型工艺随机存储器（RAM）只读存储器（ROM）半存导储体器静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM/iRAM）掩膜式ROM（MROM）可编程ROM（PROM）可擦除PROM（EPROM）电可擦除PROM（EEPROM)SRAM芯片型号6116（2KB×8）、6264（8KB×8）、62128（16KB×8）、62256（32KB×8）MROM掩膜型只读存储器生产成本低，数据由厂家一次性写入，不能修改。PROM可编程只读存储器MOS管串有一段“熔丝”构成，芯片出厂时所有“熔丝”均处于连通状态（“1”态），用户借助专用编程器一次性写入，若写入数据“0”位，则“熔丝”断开，不可恢复。EPROM可擦除可编程只读存储器用户借助仿真器，选择适当的写入电压，将程序写入EPROM，擦除时利用紫外线照射。擦净后，读出的状态为“FFH”,可重复写入上万次。EPROM芯片型号有2716（2K×8)\2732（4K×8)\2764（8K×8)\7128(16K×8)等,可与相同容量的SRAM引脚兼容。EEPROM(E2PROM)：电擦除可编程只读存储器用专门的擦除器擦除，可在线擦除和编程、写入过程中自动擦除并写入，但擦除时间约10ms。3.闪速存储器（FlashMemory）采用非挥发性存储技术，能够在线擦除重写，写入速度已达30ns，类似于RAM，掉电后信息可保持10年。典型的闪存芯片有29C256（32K×8）\29C512（64K×8)\29C101（128K×8）\29C020（256K×8）\29C040（512K×8）\29C080（1024K×8）存储器的容量＝2Ｎ,其中Ｎ为所需片内地址线的根数。1KB，片内地址线10根（A9～A0）2KB，片内地址线11根（A10～A0）4KB，片内地址线12根（A11～A0）8KB，片内地址线13根（A12～A0）片内地址线:区分存储单元地址所必需的地址线片外地址线:地址信息中除片内地址线外的所需要的地址线§2.2存储器的扩展技术三种方式位扩展字扩展字位全扩展1.位扩展位扩展的连接方法①存储芯片的地址线，片选信号线及控制信号线均并联。②数据线按数据位的高低顺序分别连到数据总线上。2.字扩展所谓字扩展就是存储单元数的扩展，数据宽度仍以字节为单位，只是对存储器系统的寻址空间进行扩展。字扩展的连接方法①存储器芯片的地址线、数据线、读、控制信号线均并联。②片选信号线是各自独立被选中的。存储器的字扩展图字位全扩展如果存储器的字数和位数都不能满足需要，就要进行字和位的全扩展，字位全扩展是由字扩展电路和位扩展电路组合而成，电路如何画，留做作业。§2.3存储器与CPU的连接存储器都是挂在总线上的！并由系统唯一的分配一个地址，地址信息经过地址译码电路产生一个选通信号（片选），选中某一片存储器，对该存储器进行读写操作。当CPU访问存储器时，出现在地址总线（AB）上的地址信号可划分为两部分，直接与存储器连接的地址线可称为片内地址线，其所用根数与存储器的容量有关，容量等于2N；其中N为片内地址线的根数；剩余的地址线称为片外地址线，常可做为存储芯片的片选地址线或译码电路的输入地址线。1）.地址译码方式三种方式线选译码方式译码器方式部分译码器方式全译码器方式线选译码方式：利用片外地址线或其他直接与存储器芯片片选引脚线连接，方法简单，不需附加译码电路，适用于存储芯片较少，而且片外地址线充足