《半导体物理学》三套模拟题及答案.pdf

《半导体物理》模拟试题一

一：简单回答下面问题（共50分）

1.尽量多的列出你所知道的半导体材料的名称及其晶体结构

2.布洛赫函数说明了晶体中电子运动的什么特点

3.什么是杂质补偿效应

4.什么是光生伏特效应

5.什么是霍尔电势差

6.什么是爱因斯坦关系式，能不能用于简并半导体中？

7.金属与半导体接触有几种形式?

8.某种半导体由于存在表面态，使其表面能带向上弯曲，形成反型层，试问这种半导体是N型还是P型？

如何才能检测这种半导体的导电类型？

9.什么是表面场效应

10.半导体中的空穴迁移率与哪些因素有关

二：4．由同种元素的原子组成的二维晶体,其原子排列如图所示.（20分）

1.说明原胞的形状，面积和含有的原子数目；

a

2.说明单胞的形状，面积及其含有的原子数目随（a与b的比值）变化的情况。

b

●●●

a●●

●●●

●●

●●●

b

三：

1.试画出理想PpN异质结能带图，并对此结构给予简单说明

2.一块P型半导体材料，具有施主型表面态，其表面能带向上还是向下弯曲？为什么？采用何种方法使

它变平？（共20分）

2

a

四：（20分）某种一维晶体的电子能量E与波矢K的关系可表示为：Ek2cos2ka。式子中是晶

ma

m

格常数，是电子的惯性质量。



1.试问这个能带中的电子，其速度和有效质量是如何随K变化的？请在第一布里渊区,画出变化

aa

关系图



k

2.设一个电子在最初的K=0处，受到与电场无关的电场作用，最后达到有标志的状态，试讨论

4a

此过程中电子在真实空间中的位移量。

五：（15分）一个半导体棒，光照前处于热平衡态，光照后处于稳定态的条件，分别有图1和2给出的能

带图来描述。设室温下的本征载流子浓度ni1010cm3，试根据已知的数据确定：

np

1.热平衡时的电子和空穴密度，0

0

2.稳态时的空穴密度

3.当棒被光照射