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半导体制造工艺期末考试重点复习资料--第1页

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MESFET。

2、晶锭获得均匀的掺杂分布:较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加

高纯度多晶硅,维持熔融液初始掺杂浓度不变。

3、砷化镓单晶:p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑

硅:p型掺杂材料是硼,n型是磷。

4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度(晶片直径决定)、晶面倾斜度

（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度(晶片中心到晶片边缘的弯曲

程度)。

5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和

氧化工艺)、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、

面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续,出现在晶体生长时)、

体缺陷(杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。

6、最大面为主磨面，与〈110晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型.

7、半导体氧化方法:热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学