半导体探测器课件.pptVIP

2)P-I-N結的形成基體用P型半導體(因為極高純度的材料多是P型的)，例如摻硼的Si或Ge單晶。(1)一端表面蒸Li，Li離子化為Li+,形成PN結。(2)另一端表面蒸金屬，引出電極。外加電場，使Li+漂移。Li+與受主雜質(如Ga-)中和，並可實現自動補償形成I區。(3)形成P-I-N結，未漂移補償區仍為P，引出電極。PN+IntrinsicSemiFrontmetallizationOhmicbackcontactTopositivebiasvoltage由矽作為基體的探測器稱為Si(Li)探測器，由鍺作為基體的探測器稱為Ge(Li)探測器。鋰離子是用於漂移成探測器的唯一的離子。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被PMT第一打拿極收集的電子及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的資訊載流子。產生每個資訊載流子的平均能量分別為30eV(氣體探測器)，300eV(閃爍探測器)和3eV(半導體探測器)。半導體探測器的特點：(1)能量解析度最佳；(2)?射線探測效率較高，可與閃爍探測器相比。常用半導體探測器有：(1)P-N結型半導體探測器；(2)鋰漂移型半導體探測器；(3)高純鍺半導體探測器；10.1半導體的基本性質1、本征半導體和雜質半導體1)本征半導體：由於熱運動而產生的載流子濃度稱為本征載流子濃度，且導帶中的電子數和價帶中的空穴數嚴格相等。常用半導體材料為矽(Si)和鍺(Ge)，均為IV族元素.理想、無雜質的半導體.固體物理理論已證明半導體內的載流子平衡濃度為：ni和pi為單位體積中的電子和空穴的數目，下標“i”表示本征(Intrinsic)材料。T為材料的絕對溫度，EG為能級的禁帶寬度。2)雜質半導體雜質類型：替位型，間隙型。(1)替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等(2)間隙型：Li，可在晶格間運動。3)施主雜質(Donorimpurities)與施主能級施主雜質為V族元素，其電離電位ED很低，施主雜質的能級一定接近禁帶頂部(即導帶底部)。在室溫下，這些雜質原子幾乎全部電離。由於雜質濃度遠大於本征半導體導帶中的電子濃度，多數載流子為電子，雜質原子成為正電中心。摻有施主雜質的半導體稱為N型半導體。電子濃度：施主雜質濃度4)受主雜質(Acceptorimpurities)與受主能級受主雜質為III族元素，其電離電位EA很低，受主雜質的能級一定很接近禁帶底部(即價帶頂部)，室溫下價帶中電子容易躍遷這些能級上；在價帶中出現空穴。所以，此時多數載流子為空穴，雜質原子成為負電中心。摻有受主雜質的半導體稱為P型半導體。空穴濃度：受主雜質濃度Dopingwithvalence5atomsDopingwithvalence3atomsN-typesemiconductorP-typesemiconductor2、載流子濃度和補償效應1)載流子濃度空穴濃度：電子濃度：式中，E1為導帶底；E2為價帶頂。Cn和Cp為與禁帶內能級分佈無關的常數。所以：可見，對半導體材料，在一定溫度下，n·p僅與禁帶寬度有關。因此，在相同溫度下，本征半導體的相等的兩種載流子密度之積與摻雜半導體的兩種載流子密度之積相等，即：2)補償效應對N型半導體：np，可以加入受主雜質，使之成為本征半導體，此時n=p=ni，也稱為“准本征半導體”；進一步加入受主雜質，可變為P型半導體，即pn。但其代價為載流子的壽命將大大縮短。對本征半導體：對雜質半導體：，但仍滿足當n=p時，載流子總數取最小值。3、半導體作為探測介質的物理性能1)平均電離能（w）SiGe300oK3.62eV77oK3.76eV2.96eV入射粒子在半導體介質中平均產生一對電子空穴需要的能量。半導體中的平均電離能與入射粒子能量無關。在半導體中消耗能量為E時，產生的載流子數目N為：2)載流子的漂移由於電子遷移率?n和空穴遷移率?p相近，與氣體探測器不同，不存在電子型或空穴型半導體探測器。對N型半導體