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電子束曝光 電子束曝光是利用聚焦後的電子束在感光膜上準確地掃描出圖案的方法。離子束曝光刻蝕技術在完成顯影檢驗後，掩膜版的圖形就被固定在光刻膠膜上並準備刻蝕。經過刻蝕圖形就永久留在晶圓的表層。刻蝕工藝分為兩大類：濕法和幹法刻蝕。無論那一種方法，其目的都是將光刻掩膜版上的圖形精確地轉移到晶圓表面。同時要求一致性、邊緣輪廓控制、選擇性、潔淨度都符合要求。濕法化學腐蝕 濕法腐蝕是指利用液態化學試劑或溶液通過化學反應進行刻蝕的方法。幹法刻蝕 幹法刻蝕是指利用低壓放電產生的等離子體中的離子或游離基（處於激發態的分子、原子及各種原子基團等）與材料發生化學反應或通過轟擊等物理作用而達到刻蝕的目的。4.3半導體中的雜質摻雜雜質摻雜是將可控數量的雜質摻入半導體內，以達到改變半導體電學特性，形成PN結、電阻、歐姆接觸等各種結構之目的。擴散和離子注入是半導體摻雜的兩種主要方式。擴散與離子注入方法摻雜示意圖（a）擴散（b）離子注入雜質擴散機理與方法1．擴散機理2．兩種表面源的擴散分佈（1）恒定表面源擴散（2）限定源擴散3．恒定表面源擴散方法（1）固態源擴散（2）液態源擴散4．擴散結果的測量（1）薄層電阻的測量（2）結深的估算和測量（3）擴散分佈測量離子注入原理與系統離子注入機系統 離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底的過程，該過程是靠離子注入機來完成，離子注入機主要包括離子源、磁分析器、加速管、聚焦、掃描器和靶室等。離子注入機基本結構及工作原理示意圖退火 由於離子注入所造成的損傷區及畸變團，使遷移率和壽命等參數受到嚴重影響，而且大部分注入的離子並不是以替位的形式位於晶格上，為了啟動注入到襯底中的雜質離子，使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產生自由載流子起到雜質的作用，並消除半導體襯底中的損傷，必須要在適當的溫度與時間下，對離子注入的矽片進行退火。矽表面SiO2的簡單實現，是矽材料被廣泛應用的一個重要因素。本節中，將介紹SiO2的生長工藝及用途、氧化反應的不同方法，其中包括快速熱氧化工藝。另外，還簡單介紹本工藝中最重要的部分---反應爐，因為它是氧化、擴散、熱處理及化學氣相澱積反應的基本設備。4.4.1二氧化矽的性質、用途在半導體材料矽的所有優點當中，SiO2的極易生成是最大的有點之一。當矽表面暴露在氧氣當中時，就會形成SiO2。4.4氧化結構、性質SiO2膜的原子結構如圖所示。它是由一個矽原子被4個氧樣原子包圍著的四面體單元組成的。是一種無定型的玻璃狀結構，具體地說是一種近程有序的網狀結構，沒有長程有序的晶格週期。儘管矽是一種半導體，但SiO2是一種絕緣材料。是矽器件製造中得到廣泛應用的一種膜層，因為SiO2既可以用來處理矽表面，又可以作為摻雜的阻擋層、表面絕緣層及作為器件中的絕緣部分。4.4.2表面鈍化無論採取什麼樣的措施，器件受污染的影響總是不可避免的。SiO2層在防止矽器件被污染方面起到了一個非常重要的作用。原因是SiO2密度非常高、非常硬，因此矽表面的SiO2層可以扮演一個污染阻擋層的角色。另一方面，SiO2對器件的保護是原於其化學特性。因為在製造過程中，無論工作室多麼潔淨，總有一些電特性活躍的污染物最終會進入或落在矽片表面，在氧化過程中，污染物在表面形成新的氧化層，是污染物遠離了電子活性的矽表面。也就是說汙染物被禁錮在二氧化矽膜中，從而減小了污染物對器件的影響。4.4.3摻雜阻擋層器件製造過程中的摻雜是定域（有選擇的區域）摻雜，那麼不需要摻雜的區域就必須進行保護而不被摻雜。如圖所示。實現掩蔽擴散的條件二氧化矽的早期研究主要是作為實現定域擴散的掩蔽膜作用，如上圖所示，在雜質向Si中擴散的同時，也要向SiO2層中擴散，設在Si中的擴散深度為在SiO2層中的擴散深度為式中：擴散時間，、分別表示雜質在SiO2和Si中的擴散係數，顯然要實現掩蔽擴散的條件是，即當雜質在矽中的擴散深度達到時雜質在SiO2中的擴散深度應所以，氧化層厚度由此可見，實現掩蔽擴散要求的SiO2厚度與雜質在SiO2和Si中的擴散係數有關，原則上講，只要能滿足上式不等式，就可起到