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半导体二极管及其应用电路
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电
子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是
空穴)。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。7.PN结
*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
*PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。8.PN结的伏安特性
i/mA
Mn/V
0UBR
0
?
个
正向特性
UmMF/V
反向特性
in/μA
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);
若V阳V阴(反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法Up=VDD-IpR
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
ip/mA
ip/mA
Von
R
bo
UYnMp/V
(a)二极管电路(b)图解分析
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);
若V阳V阴(反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型
(a)理想模型(b)恒压源模型(c)折线模型
微变等效电路法
(d)小信号模型
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
fi/mA
fi/mA
0
hrdnn/V
Uz
十hmax
稳压管的伏安特性
三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理
1.三极管的三种基本组态
(a)共发射极组态(b)共集电极组态(c)共基极组态
2.三极管内各极电流的分配
Ic=Icn+IcBOIE=IBN+Icn=Ip+IcIp=IBN-IcBO
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
Ic=βls+(1+β)IcBo=βIb+ICEO≈βIB
式子ICEO=(1+β)IcBO称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
(a)测试电路
*输出特性曲线
(饱和管压降,用UCES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。截止区---发射结反偏,集电结反偏。饱和区---发射结和集电结均正偏。4.温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
uci-0Vmca-lVn-l0Vi/μA
uci-0V
mca-lV
n-l0V
i/μA
0MBg/V
(b)输入特性曲线
(c)输出特性曲线
温度升高IcBO、IcEO、Ic以及β均增加。三.低频小信号等效模型(简化)
rbe---输出端交流短路时的输入电阻,
β---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;
四.基本放大电路组成及其原则
1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由Vcc=IcRc+UcE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
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