第4讲-第1章-晶体三极管(2)原课件.ppt

第四讲晶体管的特性曲线晶体管的共射特性曲线晶体管的主要参数温度对晶体管特性和参数的影响光电三极管*第一章半导体器件1.3晶体三极管*

三极管的结构及类型图1.3.2三极管的结构示意图和符号三个区二个结三个电极PPN知识回顾becIBIEICNPN型三极管becIBIEICPNP型三极管

晶体管在放大状态的电流方向：图1.3.3基本共射放大电路IB=IE－IC发射结正偏(Je+)：UBE0集电结反偏(Jc-)：UBE0——VBB、VCC为正电源

晶体管“放大”条件1.3.3晶体管的共射特性曲线图：三极管共射特性曲线测试电路输入特性：输出特性：VCCVBB1.输入特性图：1.3.5三极管的输入特性（1）UCE=0V，类似PN结正向特性（2）UCE0，曲线右移（3）UCE1V,曲线重合IBUB1UB2c、e短路，Je与Jc正向并联Jc－—层变厚、基区变窄；Jc收集能力增强，基区复合减弱，相同UBE时IB减小；要获得相同iB→uBE↑——右移。此时Jc电场足够强，b区绝大部分ne已被收集，UCE再增大IC不可能明显增加，IB基本不变。2.输出特性图：1.3.6三极管的输出特性◆每条曲线（IB取某一值）上升部分(UCE较小)：IC∝UCE水平部分(UCE1V):IC∝IB◆IB取不同值——曲线簇：截止区：IB=0、IC≤ICEO≈0放大区：△IC=β△IB（模电）饱和区：UCE1V，IC∝UCE△IC≠β△IB▲输出特性分析*β是常数吗？什么情况下?VBBVCC(1)截止区：ＩＢ≤０的区域特征：IＣ=βIB+ICEO=ICEO≈0，UCE≈VCC三极管无放大作用截止条件：Je电压＜Uon、Jc反偏NPN管：UBE＜Uon、UCE＞UBE(UBC＜0)放大区（线性区）：曲线趋于水平的区域。特征：ΔIC＝βΔIＢ,1V＜UCE＜VCC电流放大作用放大条件：Je+、Jc－NPN管：UBE＞Uon、UBC＜0(3)饱和区：靠近纵轴附近区域，各条曲线的上升部分。特征：UCE1V，IC∝UCE△IC≠β△IB；IC基本不随IB而变化，三极管失去放大作用。饱和条件：Je、Jc均正向偏置NPN管：ＵＢＥ≥0.7V，ＵＢＣ＞０。关于饱和诠释：当VCC、Rc一定，UBE↑→IB↑→IC↑→UCE↓→Jc收集↓当ＵCE↓＝ＵBE即ＵCB＝０——临界饱和：ICUCEIBVCCRbVBBcbeRCUBE当ＵCE＜ＵBE(UCB＜0)，或IBIBS——过饱和小功率管UCES=0.3V可认为ICS=βIBS仍成立、UCES=0.7V例１（1.10）：电路如图，UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。解（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12VuO=UCEUBE，假设成立：Ｔ放大，uO=9V假设不成立：T饱和，uO=UCES≈UBE=0.7V（3）当VBB＝3V时，设Ｔ放大，则uAVBB（2）当VBB＝1V时，设Ｔ放大，则解法２：临界饱和基流:IBS=ICS/β=(VCC-UCES)/βRc=0.226mA实际：IB=(uI-UBE)/Rb=0.46mAIBST饱和，uO=UCES≈0.7VVBB例２：电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：（1）Rb＝50kΩ时，UO＝？μA（2）若T临界饱和，则Rb≈？解:（1）所以输出电压UO＝UCE＝2V（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，则

1.12分别判断各电路