半导体制程简介课件.pptVIP

2.7金屬蝕刻MetalEtch金屬蝕刻用於製作晶片中的金屬導線。導線的形狀由Photo製作出來。這部分工作也使用等離子體完成。2.8薄膜生長金屬沉積MetalDeposition銅制程沉積CopperDeposition化學氣相沉積ChemicalVaporDepositionMetalDeposition一般來說，採用PhysicalVaporDeposition(PVD；物理氣相沉積)的方法製作金屬薄膜。這裏面的金屬薄膜包括：Aluminum(鋁),Gold(金)andTungsten(鎢)。金屬層用於在半導體元器件中製造通路，當然，離不開Photo的配合。CopperDeposition通常，半導體器件中的導線採用的是鋁。銅導線比鋁導線具有更多的優越性。銅導線電阻比鋁導線小40%，這樣採用銅導線的器件要快15%。銅導線不易因為ESD而導致器件破壞。它能夠承受更強的電流。採用銅導線的困難：當銅和矽接觸的時候，會在矽中發生非常快速的擴散。這種擴散還將改變製作在矽上面半導體三極管的電學特性，導致三極管失效。IBM最終克服了這些困難(Damascene)：採用先做絕緣層，再做銅導線層的方法解決擴散問題。在製作銅導線層的時候，IBM採用一種銅的多晶體，進一步限制銅在矽中的擴散。半導體制程簡介——晶片是如何製作出來的基本過程晶園製作WaferCreation晶片製作ChipCreation後封裝ChipPackaging第1部分

晶園製作1.1多晶生成PolySiliconCreation1目前半導體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafer)，它的主要成分為矽(Si)。富含矽的物質非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分為二氧化矽(SiO2)。沙子經過初步的提煉，獲得具有一定純度的矽，再經過一些步驟提高矽的純度，半導體制程所使用的矽需要非常高的純度。接著就是生成多晶矽(PolySilicon)。PolySiliconCreation2採用一種叫做Trichlorosilane的物質(SiHCl3)作為溶劑，氫氣作為反應環境，在鉭(tantalum)電熱探針指引下，經過初步提煉的矽形成晶體。這種過程需要多次，中途還會用到氫氟酸(HF)這樣劇毒的化學藥品，矽的純度也隨著這個過程而進一步被提高。最後生成多晶矽的矽錠。PolySiliconCreation31.2單晶製作CrystalPulling1多晶矽矽錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來製作半導體器件，其電學特性將非常糟糕，所以必須把多晶矽製作成單晶矽，這個過程可以形象地稱作拉單晶(CrystalPulling)。將高純度的多晶矽碾碎，放入石英坩堝，加高溫到1400°C，注意反應的環境是高純度的惰性氣體氬(Ar)。精確的控制溫度，單晶矽就隨著晶種被拉出來了。CrystalPulling2CrystalPulling3製作完畢的單晶矽按照半徑的大小來區分，目前正在使用的有：150mm(6’)200mm(8’)300mm(12’)正在發展的有：400mm(16’)1.3晶園切片WaferSlicing單晶矽具有統一的晶向，在把單晶矽切割成單個晶園(Wafer)的時候，首先要在單晶矽錠上做個記號來標識這個晶向。通常標識該晶向的記號就是所謂Flat或者Notch(平邊、凹槽)。6’Wafer6’的晶園通常採用所謂“平邊”的方法來標識晶向。8’Wafer8’的晶園採用Notch。12’,16’,……Wafer採用Notch，為什麼呢？——猜想。1.4晶園拋光LappingPolishing切片結束之後，真正成型的晶園誕生。此時需要對晶園的表面進行一些處理——拋光。主要的步驟有以下幾步：機械研磨(使用氧化鋁顆粒)蝕刻清洗(使用硝酸、醋酸、氫氧化鈉)Wafer拋光(化學機械研磨，使用矽土粉)表面清洗(氨水、過氧化氫、去離子水)1.5晶園外延生長WaferEpitaxialProcessing經過拋光，晶園表面變得非常平整，但是這個時候還不能交付使用。半導體工業使用的晶園並不是純粹的矽晶園，而是經過摻雜了的N型或者P型矽晶園。這是一套非常複雜的工藝，用到很多不同種類的化學藥品。做完這一步，晶園才可以交付到半導體晶片製作工廠。第2部分

晶片製作2.1氧化層生長OxidationLayering氧化層生長就是在晶園表面生長出一層二氧化矽。這個反應需要在1000°C左右的高純氧氣環境中進行。2.2有