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半導體器件;１、半導體(SemiConductor)材料的特性。

半導體：導電性能介於導體和絕緣體材料之間的材料。

單質元素半導體只有矽(Si,Silicon)和鍺(Ge,germanium)兩種材料。;EV：價帶

EC：導帶

Eg：禁帶

EF：費米能級

Ei：本征能級;本征半導體的導電機制：

1）熱運動使少量的共價電子擺脫束縛，成為可以在晶格中自由運動的“自由電子”參與導電。

2）斷裂的共價鍵處留下一個帶正電的“空穴”，其他共價鍵上的電子可以填補“空穴”，在宏觀上““空穴”也可以自由運動，參與導電。;複合：電子和空穴相遇時消失。

在熱平衡狀態下，”電子“—”空穴“對的產生和複合作用達到一個平衡，宏觀上有一定濃度的”電子“—”空穴“對存在，這些載流子稱本征載流子，記為ni。;P原子最外層有5個價電子，佔據晶格位置後4個電子與矽原子形成共價鍵，多餘的一個電子成為”自由電子“，可以參與導電。;B原子最外層有3個價電子，佔據晶格位置後3個電子都與矽原子形成共價鍵，周圍的矽原子有一個電子無法形成共價鍵，留下一個帶正電的“空穴”，可以參與導電。;在N型矽中，V族元素稱“施主”雜質，代表放出“電子”，此時材料中電子占多數，稱“多數載流子”，空穴占少數，稱”少數載流子“。;2、半導體二極體

2.1pn結的單向導電性

pn結：p型和n型半導體的交界面。

2.1.1pn結中載流子的運動;載流子的運動分為“擴散”和漂移“兩種，分別產生“擴散電流”和“漂移電流”;2.1.2pn結的單向導電性;在“反向截止”狀態，pn結可以通過微弱的電流，這一部分電流稱“反向漏電流”。;1）正向電流：電流與外加電壓成指數關係。;2）反向電流：（反向飽和電流）;2.5穩壓管

一種特殊二極體，利用二極體反向擊穿特性來輸出恒定的直流電壓。;溫度係數?U的特性由pn結的擊穿機制決定，對於矽二極體：

a.UBR6.7V，pn結為雪崩擊穿，?U為正。

b.UBR4.5V，pn結為齊納擊穿（隧道擊穿），?U為負。;3.1三極管的結構

三極管有兩個pn結，產??放大作用的關鍵結構在於。

1）基區厚度很薄。

2）發射區的摻雜濃度基區摻雜濃度。;3.2三極管的放大作用和載流子的運動

三極管在電路中要產生放大作用的條件：

1）發射結正向偏置2）集電結反向偏置;3.2.1npn管中載流子的運動(Ie=Ib+Ic);特點：

a）由於發射區摻雜濃度n+基區摻雜濃度p，因此從發射區

擴散到基區的電子數（2+3）基區擴散到發射區的空穴

數（4）。

b）由於基區很薄，因此發射區擴散到基區的電子（2+3）中，

只有很少的一部分（2）被複合，絕大部分電子（3）都通

過集電結到達集電區，形成集電極電流IC。;由於發射結正向偏置，發射區高濃度的電子向基區擴散，形成發射極電流Ie；擴散到基區的電子一部分被複合，形成基極電流Ib；其餘的大部分電子到達集電結耗盡區邊緣，在反向電場作用下被掃到集電區內，形成集電極電流Ic;定義：

1）共基電流放大係數：

從發射區擴散到基區的電子，到達集電區的比例。

2）共射電流放大係數：

從發射區擴散到基區的電子，到達到達集電區的量與被

複合的量的比值。

;3.2.3電晶體的反向電流;物理意義：

1）集電結反向偏置，有漏電流ICBO。

2）ICBO從基極流向發射結，引起發射極電子發射。

3）發射的電子通過基區，被集電結收集。

4）因此形成了被放大的反向穿透電流ICEO。;1、（共射）輸入特性曲線

測量當Uce一定時，Ｕbe和Ib之間的關係．;(1)Uce=0

集電結和發射結都正向偏置，等同於兩只二極體並聯，集電結無收集作用。此時，Ib?Ie，Ic?0，發射區電子擴散到基區後幾乎全部複合，從基極流出，形成Ib。

(2)ＵceUbe

集電結和發射結都正向偏置，集電結有一定的收集作用，此時，發射區電子擴散到基區後只有部分被複合，形成Ib，另一部分被集電結收集，形成集電極電流Ic。

(3)Uce?Ube

集電結正偏，發射