半导体三极管课件.pptxVIP

半導體三極管1.4.1基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型

BECNPN型三極管BECPNP型三極管三極管符號NPNCBEPNPCBE

BECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高

發射結集電結BECNNP基極發射極集電極+++++++++++++__________________________+++++++++++++

10.4.2電流放大原理BECNNPEBRBEc發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。IE1進入P區的電子少部分與基區的空穴複合，形成電流IB，多數擴散到集電結。IB

BECNNPEBRBEcIE從基區擴散來的電子漂移進入集電結而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。

靜態電流放大倍數靜態電流放大倍數，動態電流放大倍數?=IC/IBIC=?IB動態電流放大倍數IB：IB+?IBIC：IC+?IC?=?IC/?IB一般認為：?=?=?，近似為一常數?值範圍：20~100?IC=??IB

1.4.3特性曲線ICmA?AVVUCEUBERBIBUSCUSB實驗線路(共發射極接法)CBERC

IB與UBE的關係曲線（同二極體）（1）輸入特性IB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1V死區電壓，矽管0.5V工作壓降：矽管UBE?0.7V

（2）輸出特性(IC與UCE的關係曲線)IC(mA)1234UCE(V)3691240?A60?AQQ’?=IC/IB=2mA/40?A=50?=?IC/?IB=(3-2)mA/(60-40)?A=50?=IC/IB=3mA/60?A=50

輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A當UCE大於一定的數值時，IC只與IB有關，IC=?IB,且?IC=??IB。此區域稱為線性放大區。此區域中UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC，UCE?0.3V稱為飽和區。此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死區電壓,，稱為截止區。

輸出特性三個區域的特點:(1)放大區BE結正偏，BC結反偏，IC=?IB,且?IC=??IB(2)飽和區BE結正偏，BC結正偏，即UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V(3)截止區UBE死區電壓，IB=0，IC=ICEO?0

例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?當USB=-2V，2V，5V時，電晶體的靜態工作點Q位於哪個區？USB=-2V，IB=0，IC=0，Q位於截止區USB=2V，IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=?IB=50?0.019=0.95mAICS=2mA，Q位於放大區IC最大飽和電流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mAICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE

ICUCEIBUSCRBUSBCBERC例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?當USB=-2V，2V，5V時，電晶體的靜態工作點Q位於哪個區？USB=5V，IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=?IB=50?0.061=3.05mAICS=2mA，Q位於飽和區(實際上，此時IC和IB已不是?的關係）

三極管的技術數據：（自學）（1）電流放大倍數?（2）集-射間穿透電流ICEO（3）集-射間反向擊穿電壓UCEO(BR)（4）集電極最大電流ICM（5）集電極最大允許功耗PCM