模拟电子技术基础：第4章 场效应管放大电路.ppt

电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础vDS对iD的影响这里要讨论的关系是：电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础在漏源间加电压vDS，为便于讨论，先令vGS=0由于vGS=0，所以导电沟道最宽。①当vDS=0时，iD=0。电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础在漏源间加电压vDS，为便于讨论，先令vGS=0由于vGS=0，所以导电沟道最宽。①当vDS=0时，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础在漏源间加电压vDS，为便于讨论，先令vGS=0由于vGS=0，所以导电沟道最宽。①当vDS=0时，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布③当vDS↑，使vGD=vGS-vDS=-vDS=VP时，在靠漏极A点处夹断——预夹断。A此时iD达到了饱和漏电流IDSS表示栅源极间短路当vGS为一固定常数时，VP=vGD=vGS-vDS电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础预夹断前，vDS↑→iD↑预夹断后，vDS↑→iD几乎不变在漏源间加电压vDS，为便于讨论，先令vGS=0由于vGS=0，所以导电沟道最宽。①当vDS=0时，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布③当vDS↑，使vGD=vGS-vDS=-vDS=VP时，在靠漏极A点处夹断——预夹断。④vDS再↑，预夹断点下移电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础总结工作情况①ID受输入电压vGS的控制，其iG≈0，输入电阻很大；②其导电特性是由多子决定的，故其热噪声很小，受环境温度影响很小；③ID受漏源电压vDS的影响vDS很小时(即预夹断前)，ID与vDS成正比，呈纯阻性预夹断时，当vDS到一定程度，ID=IDSS(最大饱和电流)vDS继续增加，ID不变vDS再增加，当vDS＝V(BR)DS时击穿，ID↑↑电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础(a)vGS=0,vDS=0时iD=0(b)vGS=0,vDS│VP│时iD迅速增大(c)vGS=0,vDS=│VP│时iD趋于饱和iD饱和(d)vGS=0,vDS│VP│时图示：改变vDS时JFET导电沟道的变化电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础综上分析可知：（a）JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管；

（b）JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此输入电阻很高；

（c）JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制；

（d）预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础uGS=0VuGS=-1V三.JFET的特性曲线及参数输出特性曲线电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础恒流区的特点：△iD/△vGS=gm≈常数即：△iD=gm△vGS（放大原理）①可变电阻区（预夹断前）②恒流区或饱和区（预夹断后），也称线性放大区③夹断区（截止区）④击穿区可变电阻区恒流区截止区击穿区分四个区：电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础转移特性曲线可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。例：作uDS=10V的一条转移特性曲线AABBCCDD电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础通过实验可以得到iD的经验公式：VP只要给出IDSS和VP就可以把转移特性中的其他点近似计算出来。电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础各种场效应管的符号及特性N沟道JFET(耗尽型)P沟道JFET(耗尽型)符号转移特性输出特性N沟道MOSFET(增强型)模拟电子技术——电子技术基础精品课程上页下页第4章场效应管放大电路电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础本章主要内容场效应管的分类；结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理、输出特性曲线和转移特性曲线，以及各参数；场效应管放大电路的结构及分析方法；场效应管的特点（主要与BJT相比较而言）电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础第4章场效应管放大电路场效应管【FET——FieldEffectTransistor】双极型三极管场效应管BJTFET电流控制的元件(iB→iC)电压控制的元件(vGS→iD)两种载