晶体缺陷材料科学基础.pptVIP

晶体结构小结;理想金属;第三章晶体缺陷

CrystalDefectsorImperfections;实际金属材料几乎都是多晶体，即由许多彼此方位不同、外形不规则的小晶体（单晶体）组成，这些小晶体称为晶粒grains。;单晶体和多晶体的区别;沿晶断口;缺陷的分类：根据缺陷的几何特征;3.1点缺陷

Pointdefects;1.Formationsofpointdefects;;B.间隙原子interstitialatoms;小置换原子;点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。

?从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。;由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermalequilibriumdefects），这是晶体内原子热运动的内部条件决定的。;点缺陷的存在;

恒温下，系统的自由能

?

其中U为内能，S为总熵值（包括组态熵Sc和振动熵Sf），T为绝对温度

设由N个原子组成的晶体中含有n个空位，形成一个空位所需能量为Ev，当含有n个空位时，其内能增加为ΔU=n*Ev，组态熵的改变为ΔSc，振动熵的改变为n*ΔSf，自由能的变化为;平衡时自由能最小，即对T求导，即

则空位在T温度时的空位平衡浓度C为：

?

其中，k为波尔兹曼常数（1.38x10-23J/K或8.62x10-5eV/K)

类似地，间隙原子平衡浓度C’：

?

;Example;一般，晶体中间隙原子的形成能比空位的形成能大3-4倍，间隙原子的量与空位相比可以忽略。

例如，

Cu的空位形成能为1.7*10-19J，间隙原子的形成能为4.8*10-19J，在1273K时，空位的平衡浓度C~10-4，间隙原子的C’~10-14，

C/C’~1010。所以间隙原子可忽略不计。

1eV~100kJ/mol;3.点缺陷的运动;点缺陷的运动产生的影响：

晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断的产生和复合，才不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动，这就是晶体中原子的自扩散。它是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结的基础。

晶体性能的变化：体积、光学、磁性、导电性等改变。

如体积膨胀、密度降低等;3.2线缺陷

Lineardefects;位错Dislocations;位错（Dislocation）理论的发展;3.2.1.位错的基本类型和特征;A.刃型位错edgedislocation;刃型位错的特点：;C.滑移面是同时包括位错线和滑移矢量的平面，刃型位???的位错线和滑移矢量互相垂直，一个刃型位错所构成的滑移面只有一个；

D.位错的存在使得位错周围的点阵发生弹性畸变，即有切应变，又有正应变。对正刃型位错而言，位错线上、下部临近范围内原子受到压应力、拉应力,离位错线较远处原子排列恢复正常。

E.在位错线周围的畸变区内，每个原子具有较大的平均能量。这个区域只有几个原子间距宽，是狭长的管道，所以刃型位错是线缺陷。;电子显微镜下的位错;点缺陷;刃型位错的特点：;B.螺型位错

screwdislocation;螺型位错的特点：;C.螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线；位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直；

D.纯螺型位错的滑移面不是唯一的；凡包含位错线的平面都可作为滑移面；一般，位错在原子密排面上进行；

E.螺型位错周围的点阵发生弹性畸变，只有平行于位错线的切应变，无正应变，所以不会引起体积膨胀和收缩。

F.螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故也是几个原子宽度的线缺陷。;C.混合位错mixeddislocation;A.混合位错线是一条曲线；

B.位错线不能终止于晶体内部，而只能露头于晶体表面（晶界）；

C.位错线若终止于晶体内部，则必与其他位错线相连接，或形成封闭的位错环。;;3.2.2.伯氏矢量Burgersvector;1.伯氏矢量的确定：伯氏回路;;混合位错;2伯氏矢量的特性;;3伯氏矢量的表示法;Example

AdislocationloopABCDintheslippingplanewithBurgersvectorbisproducedbyanappliedstresst.Pleasedeterminethetypesofthedislocationloop.;3.2.3.位错的运动;1位错的滑移slipping;刃位错的运动;A刃型位错滑移;B螺型位错滑移;a;C混合位错滑移;位错滑移的特点;类型;2位错的攀移climbing;;3运动位错的交割crossing