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氮化镓基器件辐照可靠性研究

绪论

GaN基器件辐照可靠性研究现状和应用前景

近些年来，随着集成电路的不断大规模化以及对于高温、高频率、抗辐照、大功率器件的迫切需求，第三代半导体发展迅速。由于第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速率大、电子迁移率高、热导率高、热稳定性优良等前两代半导体所不具备的更加优异的性能和其对微电子领域新兴产业发展的巨大推动力，许多西方发达国家不惜投入巨资来支持第三代半导体及其相关器件的发展。因此，在这样的大潮流背景下，我国在加速发展集成电路产业（包括极大规模集成电路）的同时，也将第三代半导体及其器件的发展作为重要的国家战略目标[[]王龙兴.中国半导体