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AGM056N10H
●GeneralDescription
Prma
TheAGM056N10HcombinesadvancedtrenchoductSumry
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery
BVDSSRDSONID
protectionapplications.
●Features
100V5.1mΩ140A
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-2P
63inCoi
nfura
gtion
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM056N10HAGM056N10HTO-263330mm25mm800
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）100V
VGS
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