AGM3N120F VER2.5深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM3N120F

●GeneralDescription

TheAGM3N120FcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features1200V6Ω3.0A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TO-220FPinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■ElectronicBallast

■ElectronicTransformer

■SwitchModePowerSupply

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM3N120FAGM3N120FTO-220F1000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）1200V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±30V

IDDrainCurrent-Continuous(Tc25℃)(Note1)3.0A

DrainCurrent-ContincA

该用户很懒，什么也没介绍

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