AGM4N65D VER2.65深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM4N65D VER2.65深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM4N65D

●GeneralDescription

ProductSma

TheAGM4N65Dcombinesadvancedtrenchumry

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealswitchandbatteryBVRDONID

forloadDSSS

protectionapplications.

●Features650V2.0Ω4A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TO-252PinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■SwitchModePowerSupply(SMPS)

■UninterruptiblePowerSupply(UPS)

■PowerFactorCorrection(PFC)

PackaeMark

gdOrdi

ingnern

agIti

nfomaon

DeviceMarkngiDeviceDevicaReelQuantity

ePackgeSizeTapewidth

AGM4N65DAGM4N65DTO-252330mm16mm2500

Tale

b1.AbsoluteMaximumRatings(TA25)

℃

SymbolParameterValue

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