HFN60N04深圳恒锐丰科技+N+40V+MOS+PDFN3×3-8.pdf

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HFN60N04

N-Ch40VFastSwitchingMOSFETS

Features

AdvancedTrenchMOSTechnologyFastSwitchingSpeed

100%EASGuaranteedGreenDeviceAvailable

Application

HighFrequencySwitchingandSynchronousRectification.

DC/DCConverter.

ProductSummary

BVDSSRDSONID

40V7mΩ60A

PRPAK3X3PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFN60N04

N-Ch40VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Units

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageVGS0V,ID250uA40V

VGS10V,ID12A78.5

RDS(ON)StaticDrain-SourceOn-Resistance2mΩ

VGS4.5V,ID10A10.015

VGS(th)GateThresholdVoltageVGSVDS,ID250uA1.353V

VDS32V,VGS0V,

TJ25℃

IDSSDrain-SourceLeakageCurrentuA

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