HFN30N06深圳恒锐丰科技+N+60V+MOS+PDFN3×3-8.pdf

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HFN30N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFN30N06isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFN30N06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

ProductSummary

BVDSSRDSONID

60V24mΩ30A

PRPAK3X3PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFN30N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Units

BVDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250uA60V

DSSGSD

△BVDSS/△TReferenceto25℃,

BVDSSTemperatureCoefficient0.063V/℃

JI1mA

V10V,I15A2430

专注MOS

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