AP420N06PT深圳恒锐丰科技+420A+60V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf

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AP420N06PIT

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP420N06P/TusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI300A

DSD

RDS(ON)2.0mΩ@VGS=10V（Type：1.8mΩ）

Application

Batteryprotection

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP420N06PTO-220-3LAP420N06PXXXYYYY1000

AP420N06TTO-263-3LAP420N06TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent1,6420A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent1,6238A

IDMPulsedDrainCurrent1340

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