HFL12N02深圳恒锐丰科技+N+20V+MOS+SOT23-3.pdf

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HFL12N02

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFL12N02isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovidesexcellent

RDSONandefficiencyformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications.

TheHFL12N02meettheRoHSandGreenProductrequirementwithfullfunctionreliability

approved.

Features

GreenDeviceAvailableExcellentAdv/ateffectdecline

SuperLowGateChargeAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

ProductSummary

BVDSSRDSONID

20V8mΩ12A

SOT23-3PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFL12N02

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA20--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS20V,VGS0V,--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±12V--±100nA

OnCharacteristics

VGateThresholdVoltageVV,I250μA0.50.751.2V

GS(th)DS

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