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AP30N15D
150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP30N15Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=150VI30A
DSD
RDS(ON)52mΩ@VGS=10V
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP30N15DTO-252-3LAP30N15DXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage150V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent130A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent116A
DC
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent14.5A
DA
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent13.8A
DA
IDMPulsedDrainCurrent2
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