AP30N15D深圳恒锐丰科技++30A+150V+TO-252.pdf

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AP30N15D

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N15Dusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI30A

DSD

RDS(ON)52mΩ@VGS=10V

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N15DTO-252-3LAP30N15DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

C

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent130A

DC

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent116A

DC

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent14.5A

DA

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent13.8A

DA

IDMPulsedDrainCurrent2

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