AP100N08CMP深圳恒锐丰科技+100A+80V+TO-247-3L.pdf

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AP100N08CMP

80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP100N08CMPissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFET,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=80VI=100A

DSD

RDS(ON)15mΩ@VGS=10V（Type：13mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP100N08CMPTO-247-3LAP100N08CMPXXXYYYY1980

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage80V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A

ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V70A

IDMPulsedDrainCurrent480A

EASSinglePulseAvalancheEnergy1054mJ

IASAvalancheCurrent

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