HFD100N03深圳恒锐丰科技+N+30V+MOS+TO-252.pdf

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HFD100N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD100N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD100N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

30V3.5mΩ100A

TO-252PinConfiguration

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSSDrain-SourceVoltage30V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

TC25℃100A

IDContinuousDrainCurrent

TC100℃65A

IDMPulsedDrainCurrentnote1400A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote295mJ

PDPowerDissipationTC25℃80W

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase1.9℃/W

TJ,TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to+175℃

专注MOS

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