APG130N10NF深圳恒锐丰科技+130A+100V+PDFN5X6-8L.pdf

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APG130N10NF

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPG130N10NFusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotectionor

inotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI=130A

DSD

RDS(ON)4.2mΩ@VGS=10V(Type：3.2mΩ)

Application

IsolatedDC

Motorcontrol

Synchronous-rectification

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APG130N10NFPDFN5*6-8LAPG130N10NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent1130A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent178A

IDMPulsedDrainCurrent2480A

EASSinglePulseAvalancheEnergy3320mJ

IASAvalancheCurrent

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