HFD120N04深圳恒锐丰科技+N+40V+MOS+TO-252.pdf

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HFD120N04

N-Ch40VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD120N04isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD120N04meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

40V3mΩ120A

TO-252PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD120N04

N-Ch40VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

Tc25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Unit

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageVGS0V,ID250uA40V

RDS(ON)StaticDrain-SourceOn-Resistance2VGS10V,ID30A33.5mΩ

VGS(th)GateThresholdVoltageVGSVDS,ID250uA24V

VDS48V,VGS0V,

TJ25℃uA

IDSSDrain-SourceLeakageC

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