APE45P06NF深圳恒锐丰科技+-45A+-60V+PDFN5X6-8L.pdf

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APE45P06NF

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPE45P06NFusesadvancedTrenchIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-60VI-45A

DSD

AECQ101

RDS(ON)28mΩ@VGS-10V(Type：21mΩ)

Application

Powerwindows

Brushedmotor

QualityAssurance

AEC-Q101

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APE45P06NFPDFN5*6-8LAPE45P06NFXXXYYYY5000

FAbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-45A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-32.5A

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