APG120N12NF深圳恒锐丰科技+120A+120V+PDFN5X6-8L.pdf

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2024-09-30 发布于广东
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APG120N12NF深圳恒锐丰科技+120A+120V+PDFN5X6-8L.pdf

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APG120N12NF

120VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPG120N12NFusesadvancedSGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V120VI120A

DSD

RDS(ON)6.8mΩ@VGS10V（Type：6.0mΩ）

Application

Mobilephonefastcharging

Brushlessmotor

Homeappliancecontrolboard

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APG120N12NFPDFN5*6-8LAPG120N12NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

SymbolParameterValueUnits

VDSSDrain-to-SourceVoltage120V

I@T25℃ContinuousDrainCurrent1120A

I@T70℃ContinuousDrainCurrent170A

IDMa1PulsedDrainCurrent320A

EASa2Singlepulseavalancheenergy240mJ

IARSinglepulseavalanchecurrent40A

VGSGate-to-SourceVoltage±20V

PDPowerDissipation

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