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HFD60N03
N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFD60N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent
RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.
TheHFD60N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
ProductSummary
BVDSSRDSONID
30V6.5mΩ60A
TO-252PinConfiguration
17
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFD60N03
N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units
OffCharacteristic
VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA30--V
(BR)DSSGSD
IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS30V,VGS0V,--1.0μA
IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA
OnCharacteristics
VGateThresholdVoltageVV,I250μA1.01.52.5V
GS(th
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