单片机应用技术课后习题答案单元六北邮.pdfVIP

单元六半导体器件

一、填空

1.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的价元素形成的。

这种半导体内的数载流子是,少数载流子是空穴,不能移

动的杂质离子带速。

2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的价元素形成的。这种半

导体内的数载流子是,少数载流子是蚯，不能移动的杂

质离子带负电。

3.二极管具有单向导电性，即加正向电压导通，加反向电压截止。

4.稳压管是利用反向击穿区电流变化很大，而管子两端电压变化很

小的特性，实现稳压作用。

5•检测二极管的极性时,需用万用表的欧姆挡挡位。当

检测时表针偏转角度较大时，则红表笔接触的是二极管的

极；黑表笔接触的是二极管的极。检测二极管好坏时，红黑

两表笔对调后万用表之中偏转角度都很大时，说明二极管已经被击

穿，当指针偏转角度都很小时，说明该二极管内部已经断开。

6三极管的内部结构是由区、区、区和一

结、结组成的。

7.三极管处于电流放大作用时，发射结，集电

结o三个极电流的关系是O

二、选择题

1.P型半导体是在本征半导体是在本征半导体中掺入微量的（A）元

素构成的。

A.三价B.四价C五价D.六价

2.N型半导体是在本征半导体是在本征半导体中掺入微量的（C）元

素构成的。

A.三价B.四价C五价D.六价

3,稳压二极管的正常工作状态是（C\

A.导通状态B.截止状态C.反向击穿状态D.任意状态

4,用万用表检测某二极管时，发现其正、反向电阻均等于IKC,说明

该二极管（A\

A.已经击穿B.完好状态C.内部老化不通D.无法判断

5.测得某NPN三极管上各电极对地电位分别为%=2.w,%=2.w,

V=4.4V,说明此三极管处于（A\

C

A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区

6.正弦电流经过二极管整流后的波形为（C\

A.矩形方波B.等腰三角波C.正弦半波D.仍为正弦波

7.若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C1

A.发射结正偏、集电结正偏B.发射结反偏、集电结反偏

C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏

8.三极管超过（C）极限参数时，必定被损坏。

A.集电极最大允许电流iB.集-射极间反向击穿电压u

CM{BR}CE0

C.集电极最大允许耗散功率kD.管子的电流放大倍数夕

三、综合题

1.半导体导电有哪些特性？

2.PN结具有什么重要特性?

3.当二极管正向导通时，硅管和褚管的正向导通压降值是少？为什

么会有导通压降？

4.怎么用万用表判断二极管的好坏及正负极？

5.用万用表测量二极管的正向电阻时