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学过模拟电路,但都忘得差不多了。重新学习MOS管相关知识,大多数是整理
得来并非原创。如有错误还请多多指点!
先上一张图
一句话MOS管工作原理
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低
端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)
就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高
端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,
价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑
MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允
许的。
1,MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,
P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增
强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容
易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,
也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工
艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,
但没有办法避免,后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二
极管,在驱动感性负载(如马达、继电器),这个二极管很重要,用于保护回路。
顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是
没有的。
MOS管的正确用法
1三极管和MOS管的基本特性
三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN
型三极管和PNP型三极管两种,符号如下:
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟
道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此
处只讨论常用的增强型MOS管):
2三极管和MOS管的正确应用
(1)NPN型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基
极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V,即发射结正偏(VBE为正),NPN
型三极管即可开始导通。
基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通);基极除限流电阻外,
更优的设计是,接下拉电阻10-20k到GND;优点是,①使基极控制电平由高
变低时,基极能够更快被拉低,NPN型三极管能够更快更可靠地截止;②系统
刚上电时,基极是确定的低电平。
(2)PNP型三极管,适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基
极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V,即发射结反偏(VBE为负),PNP
型三极管即可开始导通。
基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通);基极除限流电阻外,
更优的设计是,接上拉电阻10-20k到VCC;优点是,①使基极控制电平由低变
高时,基极能够更快被拉高,PNP型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上
电时,基极是确定的高电平。
所以,如上所述
对NPN三极管来说,最优的设计是,负载R12接在集电极和
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