《电子产品装配与调试技术》期末考试试卷（含答案）.pdf

期末考试试卷一

一.选择题

（1）单选15个，每题1分，共15分。

1、单极型半导体器件是（）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V＝2.1V，V＝2.8V，V＝4.4V，说

EBC

明此三极管处在（）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I；B、集—射极间反向击穿电压U；

CMBRCEO

（）

C、集电极最大允许耗散功率P；D、管子的电流放大倍数。

CM

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；

C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

11、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。

A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。

12、基本放大电路中的主要放大对象是（）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

13、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V点电位过高，电路易出现（）。

B

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

14、共发射极放大电路的反馈元件是（