《 InGaN-GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的光学性质》范文.docx

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《InGaN-GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的光学性质》篇一

InGaN-GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的光学性质一、引言

随着纳米科技的飞速发展,量子点因其独特的物理和化学性质在光电子器件领域中得到了广泛的应用。InGaN/GaN多层核壳量子点作为一种典型的半导体纳米结构,其电子子带间跃迁的光学性质研究对于理解其光电转换机制、提高器件性能具有重要意义。本文将重点探讨InGaN/GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的光学性质,为相关研究提供理论支持。

二、InGaN/GaN多层核壳量子点的结构与性质

InGaN/GaN多层核壳量子点具有独特的核壳结构,其中InGaN作为核层,GaN

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