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Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究的

开题报告

1.研究背景和意义

纳米线阵列是一种非常有实用价值的材料结构，具有很高的应用前

景。其中，硅纳米线阵列由于其优异的电学和光学性质，具有广泛的应

用价值。与此同时，氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，具有优异

的光学性能，因此将硅纳米线阵列与ZnO相结合，可以显著提高其光学

性能，为新型光电材料的研究提供了新思路。因此，本文旨在研究Si及

Si/ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能。

2.研究内容

（1）制备Si及Si/ZnO纳米线阵列；

（2）通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电子显微镜

（TEM）等分析技术对纳米线阵列进行形貌、结构和成分等方面的表征；

（3）研究硅纳米线阵列和Si/ZnO纳米线阵列的光学性能，包括透

过率、吸收率、发光性能等。

3.研究方法

（1）采用化学气相沉积（CVD）法在硅衬底上制备Si及Si/ZnO纳

米线阵列；

（2）采用FESEM、TEM等分析技术对样品进行形貌、结构和成分

等方面的表征；

（3）采用光学测