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X波段GaN基LNAMMIC的研制的开题报告

1.研究背景

随着无线通信技术的发展，射频微波器件的需求越来越大。在高频

段(10GHz以上)，GaN材料由于其高电子迁移率、高饱和电场强度、

热稳定性等优良性能，被广泛用于高功率、高线性度的射频微波器件中。

在X波段(8-12GHz)中，LNA是一种非常重要的射频微波器件，它主要起

放大和降噪的作用，是接收信号的前置放大器，对接收信号品质和系统

性能有着重要的影响。因此，研究和开发高性能的X波段GaN基LNA

MMIC具有重要的现实意义和广阔的应用前景。

2.研究内容

本课题旨在研制一种高性能的GaN基LNAMMIC，主要包括以下内

容：

(1)设计并优化GaN基LNAMMIC的电路结构和参数；

(2)开发适用于GaN材料特性的高效率射频微波器件工艺；

(3)对LNAMMIC进行射频性能测试和寿命测试，验证其性能和可靠

性；

(4)与商业化射频微波器件进行对比测试和分析。

3.研究方法和技术路线

(1)针对X波段频段的应用特点和需求，设计合适的GaN基LNA

MMIC电路结构和参数，并进行仿真和优化；

(2)采用MOCVD工艺在GaN基底上生长HEMT二极管结构；

(3)采用深氧离子刻蚀技术、光刻技术等制备工艺制作器件；

(4)采用射频测试系统对LNAMMIC进行性能测试和寿命测试，包括

增益、噪声系数、输入输出阻抗、线性度等指标；

(5)利用工程软件对测试数据进行分析和比较。

4.研究意义和预期结果

(1)开发出高性能、高可靠性的GaN基LNAMMIC，提高我国射频微

波器件的自主研发能力；

(2)为X波段应用领域提供高性能、低成本的LNAMMIC解决方案，

推动我国高频段通信与雷达等领域技术的发展；

(3)为商用射频微波器件质量提供参考和比较标准；

(4)为GaN材料在高频射频微波器件领域的应用提供实验基础和理论

支持。