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多重服役的氧化铪薄膜铁电性能研究

摘要：随着人们生活水平的提高，人们对电子设备的要求也越来越高，从刚开始的实现从零突破到后期不断提出新的要求，人们的研究从未停止，而作为电子设备核心器件之一的铁电存储器，一直存在着一些问题，比如尺寸效应，制备的工艺与CMOS工艺不兼容导致成本上升，有环境污染，可靠性不高，抗弯曲能力弱，抗外部环境能力影响能力弱等问题，每一个问题都是面临的挑战，人们除了在改造现有传统材料外，还在积极寻找新兴材料。而经过近年来的发展，HfO2基铁电薄膜进入了人们的视野，其具有功耗低、居里温度低、可靠性高、与CMOS工艺兼容性好、环保无污染、与柔性材料结合后抗弯曲能力强的特点，给铁电存