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一周小结
：超
导师：
市特种光纤与光接入网重点－
省部共建国家重点培育
❑阅读文献：
❑SlotSpiralSiliconPhotonicCrystalFiberWithPropertyofBothHigh
BirefringenceandHighNonlinearity
光子晶体光纤结构
Fig.1.Cross-sectionviewoftheproposedPCF.(a=30nm,b=200nm,
r=400nm,theta=30,D1=360nm,D2=520nm,D3=680nm,andD4=840nm).
场分布
Fig2：Modeprofilesofthefundamentalquasi-TM(slotmode)andquasi-TE(MTIRmode)at1550nm
withmajorsemi-axisb。horizontallyaligned.
参数设计
Fig.3.Birefringencevariationwithrespectto(a)majorsemi-axisbwitha=30
nmand(b)minorsemiaxisawithb=200nmwhenbisalignedhorizontally.
场分布
Fig.4.Modeprofilesofthefundamentalquasi-TE(slotmode)andquasi-TM
(MTIRmode)at1550nmwithmajorsemi-axisbverticallyaligned.(a=30nm,
b=200nm,r=400nm,theta=30,D1=360nm,D2=520nm,D3=680nm,
andD4=840nm).
双折射率
Fig.5.Birefringencevariationwithrespectto(a)majorsemi-axisbwitha=30nmand(b)
minorsemiaxisawithb=200nmwhenbisalignedvertically.
非线性系数
限制因数
下周
❑阅读文献
具有高双折射和高非线性特性的螺旋硅光子晶体光纤图1.所PCF的横截面视图。（a=30nm，b=200nm，
r=400nm，theta=30，D1=360nm，D2=520nm，D3=680nm，D4=840nm）。
图21550nm处基本准TM（槽模式）和准TE（MTIR模式）的ode分布，其中长半轴b水平对齐。
图3.当b水平对齐时，双折射相对于（a）长半轴b（a=30nm）和（b）短半轴a（b=200nm）的变化。
图4.1550nm处基本准TE（槽模式）和准TM
MTIR模式的模式分布，其中长半轴b垂直排列。（a=30nm，
b=200nm，r=400nm，theta=30，D1=360nm，D2=520nm，D3=680nm，
和D4=840nm）。
图5.当b垂直排列时，相对于（a）长半轴b（a=30nm）和（b）短半轴a（b=200nm）的双折射变化。
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