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半导体测试与表征技术基础[详细讲解]--第1页
半导体测试与表征技术基础
第一章概述（编写人陆晓东）
第一节半导体测试与表征技术概述
主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用
第二节半导体测试与表征技术分类及特点
主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象
分类（性能、材料、制备、成分）等。
第三节半导体测试与表征技术的发展趋势
主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数
据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。
第二章半导体工艺质量测试技术
第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航）
主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层
电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试
过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包
括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩
展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电
阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅
结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。
第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏）
主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的
产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流
子寿命的测试。以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移
法。
第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航）
主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的
分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。
第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏）
包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效
应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测
试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试
的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测
量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量
第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）
半导体测试与表征技术基础[详细讲解]--第1页
半导体测试与表征技术基础[详细讲解]--第2页
包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。
第七节其它工艺参数测试技术介绍（编写人：吕航）
包括：深能级瞬态谱测试的基本原理、陷阱中心的基本电学性质、陷阱对自由载
流子的俘获和发射、陷阱中心引起的电容瞬态变化、深能级瞬态谱测试技术、深
能级瞬态谱测试信号的分析、俘获截面和能级位置的测量、陷阱深度分布的测量、
电场效应和德拜效应的测量、扩展缺陷的DLTS谱特征、深能级瞬态谱测试系统
及品质因子、深能级瞬态谱测试样品
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