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NCE01P18D
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE01P18Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan
beusedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotested.
GeneralFeatures
●V-100V,I-18ASchematicdiagram
DSD
RDS(ON)100mΩ@VGS-10V(Typ:85mΩ)
RDS(ON)120mΩ@VGS-10V(Typ:95mΩ)
●Superhighdensecelldesign
●Advancedtrenchprocesstechnology
●Reliableandrugged
●HighdensitycelldesignforultralowOn-Resistance
Application
●PowermanagementinnotebookcomputerMarkingandpinassignment
●Portableequipmentandbatterypoweredsystems
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100%ΔVdsTESTED!
TO-263-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
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NCE01P18DNCE01P18DTO-263-2L---
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Drain-SourceVoltageVDS-100V
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DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)-12
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