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NCE01P13K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE01P13Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan
beusedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotested.
GeneralFeatures
●V-100V,I-13ASchematicdiagram
DSD
RDS(ON)200mΩ@VGS-10V(Typ:170mΩ)
●Superhighdensecelldesign
●Advancedtrenchprocesstechnology
●Reliableandrugged
●Highdensitycelldesignforultralowon-resistance
Application
●Powerswitch
Markingandpinassignment
●DC/DCconverters
100%UISTESTED!
100%ΔVdsTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE01P13KNCE01P13KTO-252-2LØ330mm16mm2500units
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-100V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-13A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)-9.2A
C
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