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NCE40P70K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE40P70Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.
GeneralFeatures
●V=-40V,I=-70A
DSD
RDS(ON)10mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
Application
●Powerswitch
●Loadswitchinhighcurrentapplications
●DC/DCconvertersMarkingandpinassignment
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TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE40P70KNCE40P70KTO-252-2L330mm-2500PCS
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-40V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID
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