NCE40P13S深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE40P13S

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE40P13Susesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V=-40V,I=-13A

DSD

RDS(ON)15mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram

RDS(ON)18mΩ@VGS=-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●DC-DCconverter

SOP-8topview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE40P13SNCE40P13SSOP-8Ø330mm12mm4000units

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-40V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-13A

DrainCurrent-Continuous(T=100℃)I(100℃)-9A

该用户很懒，什么也没介绍

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