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NCE40P05Y
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE40P05Yusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ItD
canbeusedinawidevarietyofapplications.
G
GeneralFeatures
●V=-40V,I=-5.3A
DSDS
RDS(ON)85mΩ@VGS=-10V
Schematicdiagram
RDS(ON)125mΩ@VGS=-4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Markingandpinassignment
Application
●Powerswitchingapplication
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●DC-DCconverter
SOT-23-3Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
40P05YNCE40P05YSOT23-3LØ180mm8mm3000units
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-40V
Gate-SourceVoltageVGS±20
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