半导体物理学Chapter 5.pptVIP

电子－空穴对复合的能量传给导带的电子电子－空穴对复合的能量传给价带的空穴热平衡时逆过程根据细致平衡原理以上两种复合机构同时存在时，非平衡载流子的净复合率U为:热平衡情况下:非平衡情况下:5.5陷阱效应当半导体处于平衡态时,无论是施主、受主、复合中心或其他杂质能级上,都具有一定数目的电子。当半导体处于非平衡态时,若能级上电子增加,则认为此能级具有收容电子的作用；反之,则具有收容空穴的作用。杂质能级这种积累非平衡载流子的作用就称为陷阱效应。在间接复合理论中，稳定情况下，杂质能级上的电子数为:小注入情况下，能级上的电子积累可由下式导出:影响相互独立，在表达式中形式对称，可以只考虑任一项假定能级俘获电子和空穴的能力无差别，设式中第2项总是小于1。因此,除非复合中心浓度Nt可与平衡载流子浓度之和（n0＋p0）相比拟或者更大时,是不会有显著的陷阱效应的。而实际上,典型的陷阱,虽然浓度小,仍可以使陷阱中的非平衡载流子远远超过导带和价带中的非平衡载流子。这说明,实际陷阱对电子和空穴的俘获能力有差别。以电子陷阱为例,少数载流子陷阱陷阱俘获空穴后，很难俘获电子；陷阱俘获电子后，很难俘获空穴。杂质能级和费米能级重合,最有利于陷阱作用。分析:更低的能级，基本被电子填满，不能起陷阱