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模拟电子技术习题

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3章半导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度

大于小于等于

2。N型半导体（)

带正电带负电呈中性

3.当PN结正向偏置时，耗尽层将(）

不变变宽小于变窄

4。当环境温度升高时，二极管的正向电压将

升高降低不变

5.二极管的正向电压降一般具有(）温度系数

正负零

6。稳压管通常工作于()，来稳定直流输出电压

截止区正向导通区反向击穿区

7.二极管正向偏置时，其结电容主要是()

势垒电容扩散电容无法判断

8.锗二极管的死区电压约为（)

0.1V0。2V0.3V

9。硅二极管的完全导通后的管压降约为(）

0.3V0.5V0.7V

4章半导体三极管及其放大电路

1。晶体管能够放大的外部条件是_________

发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结反偏；

2。当晶体管工作于饱和状态时，其_________

发射结正偏，集电结正偏;发射结反偏，集电结反偏；发射结正偏,集电结反偏。

3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________

0。1V；0。5V；0.7V.

4。与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________

高;低；一样

5。温度升高，晶体管的电流放大系数________

增大;减小；不变

6.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________

两者无关；有关；无法判断

7.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________

输入电阻

输出

电压放大倍数

8。测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、—8V、-2。2V，则该管为_________

NPN型锗管；PNP型锗管；PNP型硅管

9。测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管_________

处于饱和状态；放大状态;截止状态；已损坏

10在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________

同相；反相；相差90度

11.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______

输出功率;静态工作点；交流参数

12。既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。

共射极；共集电极；共基极

13。引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______

晶体管的电流放大系数太大；电源电压太高;晶体管参数随环境温度的变化而变化

14。在放大电路中，直流负反馈可以________

提高晶体管电流放大倍数的稳定性;提高放大电路的放大倍数

稳定电路的静态工作点

15.可以放大电压,但不能放大电流的是_________放大电路。

共射极；共集电极；共基极

16。射极输出器无放大_________的能力。

电压;电流；功率

17.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是_______放大电路.

共射极；共集电极;共基极

18。与空载相比，接上负载后,放大电路的动态范围一定_______

不变；变大;变小

19.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的______多级放大电路。

阻容耦合;变压器耦合；直接耦合

20.在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率和下限截止频率频率点处，电压增益比中频区增益下降了3dB,亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_______倍。

1/2;；

21。在晶体管组成的三种基本放大电路中,_______放大电路的高频特性最好。

共射极;共集电极；共基极.;

5章场效应管及其放大电路

1。场效应管的漏极电流是由_________的漂移运动形成。

少子多子两种载流子

2.场效应管是一种控制型的电子器件。

电流光电压

3.场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。

电流电场电压

4。结型场效应管利用栅源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。

反偏电压反向电流正偏电压

5。为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结_____。

必须正偏必须反偏可以任意偏置

6。场效应管自给偏压电路适合于_____