SiC MOS和 IGBT 电源开关基础知识2024.docx

一、IGBT和SiC电源开关基础知识

IGBT和SiC电源开关有哪些市场和应用？

高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越来越小。此类器件包括IGBT和SiCMOSFET，它们具有高电压额定值、高电流额定值以及低导通和开关损耗，因此非常适合大功率应用。具体而言，总线电压大于400V的应用要求器件电压额定值大于650V，以留有足够的裕度，从而确保安全运行。包括工业电机驱动器、电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV)、牵引逆变器和可再生能源光伏逆变器在内的应用具有几千瓦(kW)到一兆瓦(MW)甚至更高的功率水平。SiCMOSFET和IGBT的应用具有相似的功率水平，但随着频率的增加而产生差异，如图1所示。SiCMOSFET在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于EV/HEV的直流/直流、用于EV的牵引逆变器、电机驱动器和铁路中变得越来越常见，而IGBT在电机驱动器（交流电机），不间断电源(UPS)、小于3kW的集中式和串式光伏逆变器以及牵引逆变器EV/HEV中很常见。

图1：基于功率和频率水平的功率半导体器件应用

SiCMOSFET与硅(Si)MOSFET和IGBT相比有何系统优势？

SiMOSFET和IGBT已在电源转换器中使用了很长时间。不过，SiCMOSFET已成为一项新技术，鉴于其固有的材料特性（宽带隙(WBG)材料），其优势已超过这些器件。表1中总结了这些特性。与使用Si器件的系统相比，SiC的材料特性可直接转化为系统级优势，包括更小的尺寸、更低的成本以及更轻的重量。因此，SiCMOSFET正在逐渐取代Si功率器件。

表1：功率器件材料特性

SiMOSFET、SiIGBT和SiCMOSFET电源开关之间有何差异？

SiMOSFET、SiIGBT和SiCMOSFET均可用于电源应用，但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率IGBT和MOSFET在栅极均由电压进行驱动，因为IGBT内部是一个驱动双极结型晶体管(BJT)的MOSFET。由于IGBT的双极特性，它们以低饱和电压承载很大的电流，从而实现低导通损耗。MOSFET也具有低导通损耗，但取决于器件的漏源导通电阻RDS(ON)与导通状态电压。SiMOSFET承载的电流要小于IGBT，因此IGBT用于大功率应用。MOSFET用于重视高效率的高频应用。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。不过，SiC是一种WBG材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。表2列出了这些器件之间的一些主要差

异。

表2：功率器件额定值和应用

隔离式栅极驱动器特性

隔离的一些常见形式是什么，它们有何差异？

隔离对于系统可靠性和人身安全而言至关重要。可以使用各种形式的电气隔离。三种主要的类型是光学隔离、磁隔离和电容隔离。每种类型使用不同的方法将交流或直流信号可靠地传输到输出，无需实际的电气连接。光学隔离（如图2所示）通过驱动LED灯来传输信号。LED位于光晶体管附近，光晶体管将光信号转换为由互补金属氧化物半导体(CMOS)电路缓冲的电流。磁隔离（如图3所示）使用变压器的绕组通过磁场在气隙中传输信号。输入端的磁场在输出端感应出与原始信号成正比的电流。电容隔离（如图4所示）使用电场在两个导电板之间传输信号。在选择正确的隔离栅类型时，主要考虑因素是隔离级别、CMTI等级以及降级和寿命。德州仪器(TI)电容隔离技术的工作电压由时间依赖型电介质击穿(TDDB)决定，其中考虑了所有降级机制。与基于光耦合器和基于变压器的隔离相比，TI的电容技术显示了处理更高应力电压的能力。

高电压应用为何需要隔离？

许多系统包含低电压和高电压电路。这些电路相互连接，将所有控制和电源功能结合在一起。例如，图5显示了牵引逆变器的方框图。这包括初级侧的低电压通信、控制和主电源电路。次级侧具有高电压电路，包括电机驱动器、功率级和其他辅助电路。控制器使用来自高电压侧的反馈信号，并且容易受到高压的影响，因此如果没有隔离栅，则会造成损坏。隔离栅通过形成单独的接地基准将初级侧电路与次级侧电路进行电气隔离，这也称为电隔离。这种隔离可以防止不需要的交流或直流信号从一侧传输到另一侧。初级侧不会超过电路的最大