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目录
一．设计指标要求2
1.任务2
2.特性指标要求2
3.结构参数参考值2
4设计内容2
二．MOS器件特性分析3
1.NMOS的参数设计与计算3
2.PMOS的参数设计与计算4
三．工艺流程分析5
1.工艺流程框图5
2具体工艺流程分析5
四．掺杂工艺参数计算14
1.N14
形成阱的工艺参数计算
2.NMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件15
3.PMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件16
4.氧化层厚度的计算及验证17
5.生长多晶硅栅膜18
6.生长垫氧化层19
7.生长场氧19
8.生长栅氧化层19
9.氮化硅19
10.磷硅玻璃20
五．工艺实施方案20
六．总结24
七．参考文献25
附：光刻掩膜版图纸
0
一．设计指标要求
1.任务：n阱CMOS芯片制作工艺设计
2.特性指标要求：
n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压V0.5V,漏极饱和电流I≥1mA,
TnDsat
漏源饱和电压V≤3V，漏源击穿电压BV35V,栅源击穿电压BV≥20V,
DsatDSGS
2
跨导g≥2mS,截止频率f≥3GHz（迁移率µ取600cm/V·s）
mmaxn
p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压V-1V,漏极饱和电流I≥1mA,漏
TpDsat
源饱和电压V≤3V，漏源击穿电压BV35V,栅源击穿电压BV≥20V,跨
DsatDSGS
2
导g≥0.5mS,截止频率f≥1GHz（迁移率µ取220cm/V·s）
mmaxp
3.结构参数参考值：
p型硅衬底的电阻率为50cm；
n阱CMOS芯片的n阱掺杂后的方块电阻为690/□，结深为5~6m；
20-3
pMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度110cm，结深为0.3~0.5m；
20-3
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